的首要技术目标有电容量、耐压值、耐温值。除了这三个首要目标外，其他目标中较重要的便是上有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心字母“I”，它表明该电容归于LOW ESR低损耗电容。有的电容还会标出ESR值（

  ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。抱负的电容本身不会有任何能量丢失，但实际上，因为制造电容的资料有电阻，电容的绝缘介质有损耗。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。和ESR类似的别的一个概念是ESL，也便是等效串联电感。前期的卷制电感常常有很高的ESL，容量越大的电容，ESL一般也越大。ESL常常会成为ESR的一部分，并且ESL会引起串联谐振等现象。可是相对电容量来说，ESL的份额很小，出现一些显着的反常问题的几率很小，后来因为电容制造流程与工艺的进步，现在现已逐步疏忽ESL，而把ESR作为除容量、耐压值、耐温值之外选用电容器的首要参阅要素了。

  串联等效电阻ESR的单位是毫欧（mΩ）。一般钽电容的ESR一般都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的 ESR甚至会高达数欧姆。ESR的凹凸，与电容器的容量、电压、频率及温度都有联系，当标称电压固守时，容量愈大 ESR愈低。相同当容量固守时，选用高的额外电压的种类也能下降 ESR；故选用耐压高的电容的确有许多优点；低频时ESR高，高频时ESR低；高温也会构成ESR的升高。

  现在电子技术正朝着低电压高电流电路的规划方向开展，供应给元器材的电压出现越来越低的趋势，但对功率的要求却一点点没有下降。按P=UI的公式来核算，要取得相同的功率，电压下降了，那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，和曾经3、 4V的电压比较低得多。但另一方面这些芯片因为晶体管和频率的激增，需求的功耗却是增大了许多，对电流的要求就渐渐的升高了。例如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流I=P/U=70W/3.3V=21.2A；而后者的电流I=P/U=70W/1.8V=38.9A，将近是前者电流的两倍。在经过电容的电流渐渐的升高的状况下，假设电容的ESR值不能坚持在一个较小的规模，那么就会发生更高的纹波电压（抱负的输出直流电压应该是一条水平线，而纹波电压则是水平线上的波峰和波谷）,因而就促进工程师在规划时，要运用最小的ESR电容器。

  ESR值与纹波电压的联系可以用公式V=R（ESR）×I表明。这个公式中的V就表明纹波电压，而R表明电容的ESR，I表明电流。可以正常的看到，当电流增大的时分，即便在ESR坚持不变的状况下，纹波电压也会成倍进步，因而选用更低ESR值的电容是势在必行的。

  此外，即便是相同的纹波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压状况下更大。例如关于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占份额较小，不足以构成很大的影响，可是关于1.8V的CPU，相同是0.2V的纹波电压，其所占的份额就足以构成数字电路的判别失误。

  例如《电子报》2007年第26期17版的《由NCP1200构成的12V、1A开关电源》的文章中，对开关变压器次级二极管整流后的LCπ型滤波器中电容C6、C7的要求便是“要选用等效串联电阻小的优质电解电容，等效电阻不只会影响转换率还会影响输出纹波电压。”

  ESR是等效“串联”电阻，将两个电容串联，会使ESR值增大，而并联则会使之减小。因而在需求更低ESR的场合，而低ESR的大容量电容价格又相对贵重的状况下，用多个ESR相对高的铝电解电容并联，构成一个低ESR的大容量电容也是一种常用的方法。许多开关电源采纳的电容并联的战略，以献身必定的PCB空间，换来器材本钱的削减。

  不过必定等效串联电阻的存在也有好的方面。比如在稳压电路中，有必定ESR的电容，在负载发生瞬变的时分，会当即发生动摇而引发反应电路动作，这个快速的呼应，以献身必定的瞬态功能为价值，获取了后续的快速调整才能，尤其是功率管的呼应速度比较慢，并且在电容器的体积、容量遭到严厉约束的状况。这种状况多见于一些运用MOS管做调整管的三端稳压器或类似的电路中，选用太低的ESR电容器反而会下降全体的功能。